镓本身并不是半导体，但与砷、氮、硒、碲、磷、锑等金属和非金属形成的一系列镓基化合物，均为优质半导体材料，是研制微电子器件和光电子器件的重要材料，甚至可以说镓引领着半导体材料的发展方向，是电子信息时代的领航员。

砷化镓(简称GaAs)是一种无机化合物，呈黑灰色固体，熔点为1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，具有闪锌矿型晶格结构，晶格常数为5.65×10m，禁带宽度为1.4电子伏。

砷化镓下游应用领域

砷化镓在多个领域都有广泛的应用。在微波领域，它被广泛应用于无线通讯和雷达系统中的高频器件，如高电势场效应晶体管(HEMT)、低电压电势场效应晶体管(LEMT)、双极型晶体管、互补型金属氧化物半导体(CMOS)射频前端集成电路等。

在光电子领域，砷化镓是极好的光电转换材料，用于制造高速半导体激光器、能量高效的太阳能电池、光探测器和光电开关等。

在通信领域，它在光纤通讯领域中有着广泛的应用，如光接收器、光放大器和光调制器等器件。

此外，砷化镓太阳能电池因其高的光电转换效率和稳定性，被视为下一代高效的太阳能电池材料。在微电子领域，砷化镓被用于高速电路、闪存存储器、功率晶体管、平面光阵列等器件中。

根据中研普华产业研究院发布的《2024-2029年砷化镓产业现状及未来发展趋势分析报告》显示：

镓的一系列化合物被广泛应用于无线通信、化学工业、医疗设备、太阳能电池和航空航天等高科技领域，被称为“半导体工业的新粮食”和“电子工业的脊梁”。因此，美国、日本等国家已将镓列入“战略资源”，欧盟也将其列入“关键原材料”目录，我国也将镓列为“战略储备金属”。

得益于下游应用市场需求持续旺盛，砷化镓衬底市场规模将持续扩大。根据 Yole 测算，2019 年全球折合 二英寸砷化镓衬底市场销量约为2,000

万片，预计到 2025年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量将超过 3,500 万片。

GaAs衬底尺寸越大、指标越严，售价越高。在射频及激光领域，需要器件具有高稳定的性能

及良好的热传导性，所要求的GaAs衬底技术指标更高，因此其售价高于LED领域。同领域相 比，因6寸的衬底制备技术更为复杂，其售价在4寸的2倍左右。

砷化镓行业市场竞争格局

全球砷化镓衬底市场主要生产商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美。其他国产衬底厂商发展仍处于初级阶段。北京美通GaAS衬底产品处于国际领先地位。公司以位错密度低、平整度(总厚度波动值、翘曲度越低，

平整度越高，性能越好)高见长，其余产品技术参数与国际主要竞争对手产品相当，总体处于国际领先水平。

在半导体产业“逆全球化”趋势下，且受益于新能源汽车、光伏、储能等需求的带动，我国第三代半导体产业保持高速增长。2022年，我国第三代半导体功率电子和微波射频市场总规模达到194.2亿元，较2021年增长34.5%。

氮化镓适用于高温高频领域，能够提供高频率和宽带宽，可满足性能和小尺寸要求，氮化镓射频器件主要应用于基站、雷达、卫星通信等领域。5G

通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，使用砷化镓衬底制造的射频器件非常适合应用于长距离、长通信时间的高频电

路中，因此，在5G时代的射频器件中，砷化镓的材料优势更加显著。根据预测，全球射频氮化镓器件市场规模将从2020年8.91亿美元增长至2026年24亿美元，期间年复合增长率达18%。

在激烈的市场竞争中，企业及投资者能否做出适时有效的市场决策是制胜的关键。报告准确把握行业未被满足的市场需求和趋势，有效规避行业投资风险，更有效率地巩固或者拓展相应的战略性目标市场，牢牢把握行业竞争的主动权。

更多行业详情请点击中研普华产业研究院发布的《2024-2029年砷化镓产业现状及未来发展趋势分析报告》。