使用DGS测试确定新的故障影响

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动态栅极应力测试可帮助工程师验证SiC和GaN器件。

确定并仿真传统测试方法不可见的故障影响使测试流程更加贴近实际应用，并向客户提供准确声明使用快速电压偏移来激励栅极的故障机制原位测量确定相关参数，以显示动态栅极应力对栅极氧化物的长期影响全自动测试可满足行业的扩展需求，并为深入数据分析提供详细报告

​NI SET DGS功率半导体测试系统

DGS测试系统将行业的扩展需求转换为自动化动态测试，强调快速适应变化需求的灵活性。

除激励外，DGS测试系统还提供多个原位测量，以确定规定时间段内的相关参数。

原位测量可有效显示动态栅极应力对栅氧化物的长期影响，并支持您为客户提供准确声明。

NI解决方案的优势

支持多达240个DUT，热/冷板温度范围为20 ℃至200 ℃。

提供高达1.5 kV的高压漏极激励和高达1500 V的最大漏极电压，两者均可通过软件配置。

具有高达1 V/ns的高栅极dV/dt激励，以及高达±30 V的软件可配置电压。

提供0 Hz～500 kHz的可配置输出频率和25%～75%的占空比设置（按5%递增）。

可使用针对特定应用的栅极驱动器进行测试，以进行有针对性的评估。

《功率半导体过山车》：是否漂移？(DGS)

宽带隙半导体测试挑战

副总裁兼技术负责人Frank Heidemann解释了如何通过电压变化对栅极施加应力以产生陷阱效应，从而在宽带隙半导体中引起Vth和RDS(on)的漂移，这对于揭示这些元器件的效率损失至关重要。

利用NI生态系统，构建解决方案

NI提供了各种集成解决方案供您选择，可满足您的特定应用需求。​您可以将系统集成工作完全交给公司内部的集成团队，也可寻求NI以及遍布全球的NI合作伙伴联盟的帮助，获取完整的一站式解决方案。

服务与支持

在应用的整个生命周期中，NI将与客户携手同行​，随时提供培训、技​术支持、咨询和集成服务以及维护计划。您的团队可以参与到NI不同地区的用户组，从而获取新技能，也可通过在线培训和面授培训来提高自身的技能水平。

NI合作伙伴是独立于NI的商业实体，与NI之间不存在代理或合资关系，亦不属于NI相关业务的一部分。